- 28,589
- 46
- 8 Ноя 2022
Основным материалом прорывной конструкции послужила тончайшая плёнка из графена.
<div class="articl-text-cover" style="position:relative;width:100%;max-width:800px;margin-left:auto;margin-right:auto;aspect-ratio:1200/675;margin-bottom:2rem;overflow:hidden">
<div itemprop="articleBody">Чем меньше заряд нужен памяти для хранения данных, тем меньше энергии тратит вся вычислительная система. По этому принципу специалисты Фуданьского университета в Шанхае смогли записать информацию с помощью одного электрона при комнатной температуре.
Команда под руководством профессора микроэлектроники Чжоу Пэна создала двумерную флеш-память на основе графена . Современной DRAM-памяти для надёжного хранения одного бита требуется около 200 тысяч электронов, поскольку слабый заряд трудно отличить от электрического шума. Новая конструкция удерживает одиночный электрон и усиливает создаваемый им сигнал.
В экспериментальной системе сигнал достиг примерно 0,5 В. В других установках для работы с отдельными электронами показатели обычно ограничивались десятками милливольт. Разработчики назвали метод Guiyi, что переводится как «возвращение к единому».
Во время испытаний команда также показала квантование напряжения программирования и саморегулируемую запись. Такие свойства позволяют точнее выбирать квантовые состояния при чтении и записи, а в перспективе могут увеличить объём информации, который помещается на одном чипе.
Пока технология существует лишь в виде экспериментальной разработки и не готова к массовому выпуску. Чжоу Пэн планирует создать компанию в 2026 году и вывести память на рынок в течение пяти лет. До коммерческого применения специалистам предстоит наладить серийное производство и интеграцию с существующей электроникой.
Снижение числа электронов, необходимых для хранения данных, может заметно сократить энергопотребление памяти. Разработчики рассчитывают, что дальнейшее развитие технологии позволит обрабатывать больше данных непосредственно на мобильных устройствах, включая запуск моделей искусственного интеллекта без постоянного обращения к крупным центрам обработки данных.
<div class="articl-text-cover" style="position:relative;width:100%;max-width:800px;margin-left:auto;margin-right:auto;aspect-ratio:1200/675;margin-bottom:2rem;overflow:hidden">
<div itemprop="articleBody">Чем меньше заряд нужен памяти для хранения данных, тем меньше энергии тратит вся вычислительная система. По этому принципу специалисты Фуданьского университета в Шанхае смогли записать информацию с помощью одного электрона при комнатной температуре.
Команда под руководством профессора микроэлектроники Чжоу Пэна создала двумерную флеш-память на основе графена . Современной DRAM-памяти для надёжного хранения одного бита требуется около 200 тысяч электронов, поскольку слабый заряд трудно отличить от электрического шума. Новая конструкция удерживает одиночный электрон и усиливает создаваемый им сигнал.
В экспериментальной системе сигнал достиг примерно 0,5 В. В других установках для работы с отдельными электронами показатели обычно ограничивались десятками милливольт. Разработчики назвали метод Guiyi, что переводится как «возвращение к единому».
Во время испытаний команда также показала квантование напряжения программирования и саморегулируемую запись. Такие свойства позволяют точнее выбирать квантовые состояния при чтении и записи, а в перспективе могут увеличить объём информации, который помещается на одном чипе.
Пока технология существует лишь в виде экспериментальной разработки и не готова к массовому выпуску. Чжоу Пэн планирует создать компанию в 2026 году и вывести память на рынок в течение пяти лет. До коммерческого применения специалистам предстоит наладить серийное производство и интеграцию с существующей электроникой.
Снижение числа электронов, необходимых для хранения данных, может заметно сократить энергопотребление памяти. Разработчики рассчитывают, что дальнейшее развитие технологии позволит обрабатывать больше данных непосредственно на мобильных устройствах, включая запуск моделей искусственного интеллекта без постоянного обращения к крупным центрам обработки данных.
- Источник новости
- www.securitylab.ru
